技術編號：6940221
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體制造領域，特別涉及。 背景技術在半導體制造技術中，金屬硅化物由于具有較低的電阻率且和其他材料具有很好 的粘合性而被廣泛應用于源/漏接觸和柵極接觸來降低接觸電阻。高熔點的金屬與硅發(fā)生 反應生成金屬硅化物，通過一步或者多步退火工藝可以形成低電阻率的金屬硅化物。隨著 半導體工藝水平的提高，特別是在90nm及其以下技術節(jié)點，為了獲得更低的接觸電阻，鎳 及鎳的合金成為形成金屬硅化物的主要材料。在已經公開的申請?zhí)枮?00780015617. 9的中國專...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。