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混合材料積累型圓柱體全包圍柵cmos場效應(yīng)晶體管的制作方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號:6938796

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,尤其涉及一種混合材料的積累型圓柱體全包圍柵CMOS場效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS, Complementary Metal Oxide Semiconductor)器件是在將N型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(NMOS)與P型金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(PMOS)集成在同一塊硅片上的半導(dǎo)體器件。專利申請?zhí)枮?00610028768. 5的中國專利公開了一種互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件。圖1為該專利公開的互補金屬氧化物半導(dǎo)體器件結(jié)...
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