技術(shù)編號：6938707
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，特別涉及雙鑲嵌結(jié)構(gòu)的形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體器件制作技術(shù)的飛速發(fā)展，半導(dǎo)體器件已經(jīng)具有深亞微米結(jié)構(gòu)。由于 集成電路中所含器件的數(shù)量不斷增加，器件的尺寸也因集成度的提升而不斷地縮小，器件 之間的高性能、高密度連接不僅在單個互連層中進行，而且要在多層之間進行互連。因此， 通常提供多層互連結(jié)構(gòu)，其中多個互連層互相堆疊，并且層間絕緣膜置于其間，用于連接半 導(dǎo)體器件。特別是利用雙鑲嵌(dual-damascene)工藝形成...
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