技術(shù)編號：6938481
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種防止晶圓表面不平及曝光中失焦 的方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體制造工藝中，光刻和刻蝕工藝得到廣泛的應(yīng)用，光刻的過程主要包括形成 光刻膠層；使用光刻機(jī)對光刻膠層進(jìn)行圖案化；以所述圖案化之后的光刻膠層為掩膜進(jìn)行 刻蝕；刻蝕之后將剩余的光刻膠去除。隨著工藝水平的不斷提高，器件的特征尺寸(CD， critical dimension)在不斷減小，特別是進(jìn)入90nm工藝以后，光刻膠層圖案化過程中的 聚焦問題越來越重要，聚焦不準(zhǔn)或者失焦(def...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。