技術(shù)編號(hào)：6937598
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件的玻璃鈍化工藝，特別是硅平面半導(dǎo)體器件的表面PN結(jié)玻璃鈍化工藝。技術(shù)背景當(dāng)今硅平面半導(dǎo)體器件的表面鈍化工藝，是采用在硅片表面化學(xué)氣相淀 積多晶硅SIPOS薄膜或者摻磷的二氧化硅^PSG薄膜。其工藝原理是利 用化學(xué)惰性氣體(H2、 N2、 Ar等)攜帶反應(yīng)源氣體(磷烷、硅烷)以層流 的方式進(jìn)入反應(yīng)室，到達(dá)被預(yù)先加熱至反應(yīng)溫度的襯底。在襯底上方的層流 層中，載氣中的反應(yīng)源分子穿過滯留層，分解并擴(kuò)散至晶體表面，經(jīng)物理和 化學(xué)過程，可控地淀...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。