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技術(shù)編號(hào)：6936667

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本發(fā)明涉及氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體襯底，以及涉及刻蝕外延襯底一其上外延地生長(zhǎng)了GaN、 InGaN和AlGaN膜的GaN襯底的方法，以及涉及由這種方法刻蝕的GaN襯底。背景技術(shù)在藍(lán)色發(fā)光器件技術(shù)中，典型地通過(guò)在藍(lán)寶石襯底上外延地生長(zhǎng)包括n-型和p-型GaN和InGaN層的薄膜以形成p-n結(jié)，向下刻蝕該薄膜至n-型GaN層，在n-型GaN上設(shè)置n-電極和在p區(qū)上設(shè)置p-電極以得到用劃片機(jī)切割為單個(gè)芯片的單元發(fā)光二極管以制造LED芯片，將管座(stems)粘附到...
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