技術(shù)編號：6936156
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種提高磁性多層膜結(jié)構(gòu)中偏置場穩(wěn)定性的方法，屬于磁電子學(xué)和磁記錄。 背景技術(shù)1988年以來，隨著交流阻抗隨外磁場而變化的巨磁阻抗材料、電阻率隨外磁場 而變化的巨磁電阻材料和幾何尺寸隨外磁場而伸縮變化的巨磁致伸縮材料的問世，出現(xiàn) 了磁電子器件這一新概念?；诙鄬幽ぞ薮烹娮璨牧虾妥孕淼澜Y(jié)磁電阻材料的磁阻傳 感器比目前廣泛應(yīng)用的基于各向異性磁電阻材料傳感器具有更大的磁電阻效應(yīng)，靈敏度 及信噪比更高，應(yīng)用范圍更廣，可廣泛應(yīng)用于信息技術(shù)、車輛工業(yè)、生物醫(yī)...
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