技術(shù)編號(hào)：6934988
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種帝隨薄 成電路的方法。 背景技術(shù)，牢，已經(jīng)開(kāi)發(fā)出用于轉(zhuǎn)移形成于鄉(xiāng) 襯/^±的薄^ 電路的技術(shù)。根 據(jù)這種技術(shù)，例如，ffi51在薄IM^電路和襯/Et間掛紛離層和用包含卣素的氣體去除分離層，從支撐襯底分離薄IM^電路并然后轉(zhuǎn)移該薄MMi電路(例如，參考; 1日本專利公M/NoH8-254686)。 發(fā)明內(nèi)容根據(jù)參考文獻(xiàn)1，在襯驗(yàn)面的U上形成分離層，并且在分離層tJi形成 薄膜集成電路。然后，去除分離層。由此，從襯底分離薄IM^頓各，并且在襯底...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。