技術(shù)編號:6933283
提示:您尚未登錄,請點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及利用SOI (Silicon On Insulator或Semiconductor On Insulator )基板并且通過溝槽(trench)進(jìn)行元件間分離的半導(dǎo)體集成電 路裝置,尤其涉及用于智能功率器件(intelligent power device)的半導(dǎo)體 集成電路裝置,還涉及為了元件間絕緣利用電介質(zhì)分離方式的半導(dǎo)體裝置 及其制造方法。背景技術(shù)在絕緣膜上形成半導(dǎo)體層的SOI基板上、形成晶體管和電阻等元件的 半導(dǎo)體集成電路裝置,通過寄生電...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。