技術(shù)編號(hào)：6933055
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有分布布拉格(Bragg)反射層的光半導(dǎo)體裝置， 尤其涉及元件特性偏差少、量子效率高的光半導(dǎo)體裝置。背景技術(shù)提出了在光吸收層與半導(dǎo)體襯底之間具有分布布拉格反射 (DBR Distributed Bragg Reflector)層的光電二極管的方案。沒有被 光吸收層吸收而透過的光，在DBR層反射后再次被光吸收層吸收。 從而，在具有DBR層的光電二極管中得到高量子效率(例如，參照 專利文獻(xiàn)1日本特開2003 - 318485號(hào)^/H艮)。光電二極管...
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