技術(shù)編號(hào):6929917
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造,特別涉及一種NMOS晶體管的制造方法。 背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的飛速發(fā)展,半導(dǎo)體器件為了達(dá)到更快的運(yùn)算速度、更大的 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量以及更多的功能,半導(dǎo)體晶片朝向高集成度方向發(fā)展,MOS器件的柵極特征尺寸 已經(jīng)進(jìn)入深亞微米階段,柵極下的導(dǎo)電溝道變得越來(lái)越細(xì)且長(zhǎng)度變得較以往更短,這樣就 對(duì)工藝的要求越來(lái)越高。在傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)中,形成NMOS晶體管,圖1至圖3為利用傳統(tǒng)方法形成 NMOS晶體管的示意圖,參考圖1至圖3,首先提供半導(dǎo)體襯...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。