技術(shù)編號(hào)：6929579
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于半導(dǎo)體制造的光阻結(jié)構(gòu)，具體地說，涉及一種適用于離子注入工藝的光阻結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在半導(dǎo)體表面形成結(jié)或者摻雜其他雜質(zhì)的方法一般通過熱擴(kuò)散或離子注入來實(shí)現(xiàn)，由于離子注入過程沒有側(cè)向擴(kuò)散，工藝在接近室溫下進(jìn)行，注入的離子被置于晶圓表面的下方，而且容易對(duì)晶圓內(nèi)摻雜的位置和數(shù)量進(jìn)行良好的控制，因此先進(jìn)電路的主要摻雜步驟大多是采用離子注入來實(shí)現(xiàn)的?，F(xiàn)在半導(dǎo)體工藝已經(jīng)進(jìn)入深亞微米制程，隨著半導(dǎo)體器件特征尺寸的進(jìn)一步減小，柵極區(qū)與漏極區(qū)部分重疊而形成的高電...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。