技術(shù)編號：6926815
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于提供硬偏壓封蓋層的方法和系統(tǒng)背景技術(shù)001圖1描述利用傳統(tǒng)底切的雙層掩膜提供磁阻元件的傳統(tǒng)方法 10。通過步驟12提供磁阻元件的層。典型地，步驟12包括為旋轉(zhuǎn)閥 或其它類似的大型磁阻(GMR)元件濺射淀積(或沉積)這些層。通 過步驟14也可以為該磁性元件提供封蓋層(capping layer)。例如，可 以使用鉭(Ta)或類鉆石碳(DLC)。通過步驟16在該器件上提供雙 層掩膜。該雙層掩膜在掩膜的邊緣處具有底切部。通過步驟18限定該 磁性元件。隨后，將...
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