技術(shù)編號(hào)：6925607
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)單元及其制造。 背景技術(shù)所存在的不斷的壓力是使存儲(chǔ)單元、比如靜態(tài)RAM(SRAM)單元更小。隨著工藝技 術(shù)縮小到深亞微米(例如65nm、45nm、以及32歷)，這些微小SRAM單元的可制造性變得困難 得多。這在很大程度上是由于日益難以精確地在晶片上限定光刻圖案。可制造的SRAM單元必須盡量小，并同時(shí)保持對(duì)其器件參數(shù)的緊密控制，以便保證 在全部產(chǎn)品規(guī)范的范圍內(nèi)操作。有時(shí)需要在SRAM單元中使用較大的晶體管，以便使制造偏 差處于可接受的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。