技術(shù)編號：6924253
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明揭示的內(nèi)容大致有關(guān)于半導體制造技術(shù)，更具體地說，有關(guān)于控制帶電粒 子束的技術(shù)。背景技術(shù)離子植入是通過賦能離子直接轟擊襯底而將化學元素沉積進入襯底的工藝。在半 導體制造中，離子植入器主要用于摻雜工藝，此摻雜工藝改變目標材料的傳導性類型以及 位準。在集成電路(integrated circuit, IC)襯底及其薄膜結(jié)構(gòu)中，精確摻雜分布對于取 得良好的IC性能至關(guān)重要。為實現(xiàn)所希望的摻雜分布，可植入不同劑量以及不同能量位準 的一個或多個離子元素。為在半導...
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