技術編號：6923934
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明一般地涉及半導體等離子蝕刻。更詳細地是，發(fā)明涉及探測界面和用于測量輸送到等離子室的射頻(RF)功率而改進由RF功產生的熱量的散失的方法。背景技術 在半導體業(yè)，等離子蝕刻已成為半導體電路制造所必要的部分。利用電場加速離子的等離子蝕刻有助于只蝕刻水平露出的表面而所以避免凹蝕。典型的等離子蝕刻系統(tǒng)將包括等離子室(裝要蝕刻的硅片)、功率輸出裝置和用于提供輸送到等離子室的RF功率的閉環(huán)控制的反饋裝置。反饋裝置一般包括根據(jù)流過導線的RF功率而產生模擬信號的探頭和...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。