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技術(shù)編號：6905553

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本發(fā)明涉及采用低溫GaN HVPE緩沖層和特殊降溫工藝在藍寶石襯底上HVPE生長GaN 厚膜并原位獲得自支撐GaN襯底的方法和技術(shù)。二背景技術(shù)以GaN及InGaN、 AlGaN合金材料為主的III-V族氮化物材料(又稱GaN基材料) 是近幾年來國際上倍受重視的新型半導體材料，其1. 9一6. 2eV連續(xù)可變的直接帶隙， 優(yōu)異的物理、化學穩(wěn)定性，高飽和電子漂移速度，高擊穿場強和高熱導率等優(yōu)越性能使 其成為短波長半導體光電子器件和高頻、高壓、高溫微電子器件制備...
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