技術(shù)編號(hào)：6905191
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及PMOS晶體管的制造方法及PMOS晶體管。背景技術(shù)在現(xiàn)有的MOS晶體管的制造技術(shù)中，通常首先在半導(dǎo)體襯底上形成柵氧層，在柵 氧層上形成柵導(dǎo)電層，然后通過刻蝕柵導(dǎo)電層和柵氧層形成柵極，接著在柵極兩側(cè)的襯底 中離子注入形成源極區(qū)和漏極區(qū)，從而形成MOS晶體管。其中，所述柵氧層通常利用氧化物 形成，例如二氧化硅Si(^或者摻雜的二氧化硅。在MOS晶體管的制造過程中，為了減小柵極 的電阻，通常在柵導(dǎo)電層形成之后對柵導(dǎo)電層進(jìn)行摻雜，例如...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。