技術(shù)編號(hào)：6904487
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及使用等離子體氮化處理或者氧化處理硅基板的等離子 體處理裝置和等離子體處理方法。背景技術(shù)在使用了等離子體的硅基板的氮化處理時(shí)，例如，向微波激勵(lì)后 的氬氣或氪氣等的稀有氣體等離子體中導(dǎo)入氮?dú)饣虻獨(dú)夂蜌錃?、?NH3氣體等的包含氮元素的氣體。由此，產(chǎn)生N自由基(radical)或 NH自由基，而將硅氧化膜表面轉(zhuǎn)換為氮化膜。另外，還存在通過微波 等離子體來直接氮化硅基板表面的方法。若根據(jù)現(xiàn)有的裝置和方法，則因入射到硅氧化模(硅基板)上的 離子，有基底膜(...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。