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具有雙淺溝道隔離槽的高密度二極管陣列的制造方法技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):6903898

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本發(fā)明涉及一種二極管陣列的制造方法,特別涉及一種具有雙淺溝道隔離槽的高密度二極管陣列的制造方法。 背景技術(shù)相變隨機(jī)存儲(chǔ)器(PCRAM)被公認(rèn)為是近四十年以來(lái)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)最大的突 破,其具有優(yōu)越的數(shù)據(jù)保持能力、極好的半導(dǎo)體工藝兼容性、較快的速度和競(jìng)爭(zhēng)力的成本優(yōu) 勢(shì)。PCRAM不僅有著各方面的優(yōu)越性能,并且是一種通用的存儲(chǔ)器,具有廣闊的市場(chǎng)前景。 在其實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化之后,有望部分或者全面替代目前的包括閃存(flash)、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 (DRAM)、及硬盤在內(nèi)...
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