技術(shù)編號(hào)：6900642
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝方法，特別是涉及一種可以在兼顧抗蝕刻 能力的情況下提升解析度，并且可以避免光刻工藝中光反射效應(yīng)的圖案化 的方法。背景技術(shù)隨著半導(dǎo)體元件的關(guān)鍵尺寸(critical dimension; CD)日漸縮小，對(duì)光 刻工藝的解析度(re s o 1 u t i on)的要求也愈來愈高。光刻工藝的解析度跟光 刻膠的厚度有關(guān)， 一般而言，解析度會(huì)隨著光刻膠厚度的減少而增加。然 而，由于光刻膠的厚度必須足夠厚才具有足夠的抗蝕刻能力，因此無法直接 ...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。