技術(shù)編號(hào)：6898935
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。背景技術(shù)本發(fā)明涉及硼化物阻擋層的形成，更具體地說，涉及利用化學(xué)吸附技術(shù)的硼化物阻擋層。在集成電路的制造中，經(jīng)常使用阻擋層來防止金屬和其它雜質(zhì)擴(kuò)散到位于這些阻擋層下面的區(qū)中。這些下面的區(qū)可以包含出現(xiàn)在集成電路中的晶體管的柵、電容器介質(zhì)、半導(dǎo)體襯底、金屬線以及其它的結(jié)構(gòu)。對(duì)于目前半微米(0.5μm)半導(dǎo)體器件的誕生，在互連層之間的界面處發(fā)生的任何細(xì)微反應(yīng)都會(huì)引起得到的集成電路性能的降低(例如互連層的電阻率增加)。結(jié)果，阻擋層已經(jīng)成為用于提高互連金屬化配置的重要...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。