技術編號：6898453
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及具有其絕緣表面上設置有半導體層的所謂的SOI (絕緣體 上硅；Silicon on Insulator)結構的SOI基板的制造方法及具有SOI結構的 半導體裝置的制造方法。背景技術目前正在開發(fā)使用被稱為絕緣體上硅(下面也稱為SOI)的半導體基 板的集成電路，該半導體基板在絕緣表面上設置有較薄的單晶半導體層而 代替將單晶半導體錠切成薄片來制造的硅片。使用SOI基板的集成電路因 為降低晶體管的漏極和基板之間的寄生電容以提高半導體集成電路的性能而引人注...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。