技術(shù)編號(hào)：6895852
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種提高薄膜性能的方法，具體是一種提高CoSi2薄膜熱穩(wěn)定性的方法。用于材料制備。背景技術(shù) 難熔金屬硅化物廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路中作互聯(lián)材料，歐姆接觸材料和肖特基接觸材料。其中，CoSi2具有15-20μΩcm的低電阻、晶格常數(shù)與Si接近晶格失配率小等特點(diǎn)而成為最受關(guān)注的材料。多晶CoSi2薄膜的熱穩(wěn)定性較低，高溫退火時(shí)會(huì)形成熱蝕溝，并且長(zhǎng)大形成結(jié)塊，從而大大提高薄膜的電阻率，從而阻礙薄膜的應(yīng)用和推廣。人們發(fā)明了各種方法提高CoSi2薄膜的熱穩(wěn)...
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