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技術(shù)編號：6895203

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置，特別涉及半導(dǎo)體裝置制造過程對蝕刻深度的控制。背景技術(shù)M0SFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)裝置在電子方面有很多的應(yīng) 用，包括在無線電頻率/微波放大器中的應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，柵極漏極反饋 電容必須減少到最小，以使得無線電頻率的倍率最大化，并使得信號失真最 小化。在一種硅功率MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)中，基于適 當(dāng)?shù)臇艠O偏壓，柵極電極提供接通和斷開控制。用于減少DM0S (雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)裝置的柵極漏極...
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