技術(shù)編號：6891986
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，尤其涉及高壓MOS器件淺溝槽區(qū)域的制程方 法，屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。背景技術(shù)在0.25 以下的成熟制程中，通常使用蝕刻形成淺溝槽的方式來達(dá)到 元器件相隔絕的目的。為防止尖端放電的產(chǎn)生，在淺溝槽蝕刻后進(jìn)行介電材 料的絕緣填充前，往往都會在淺溝槽內(nèi)生長一層薄薄的氧化層，使得淺溝槽 的折角處能夠較為平滑。 一般情況下，高壓MOS器件會應(yīng)用在電壓較高的 環(huán)境下(電壓大于12伏)，所以柵氧化層的厚度比較高(通常大于 200A)。由于制程能力的限制...
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