技術編號：6891561
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及基板處理方法和基板處理裝置，特別涉及在基板處理 裝置所具有的處理室內(nèi)使用氟化氫氣體處理基板的基板處理方法。背景技術在由硅晶片(以下簡稱為"晶片")制造半導體設備的半導體設備制造方法中，依次反復實行在晶片的表面形成導電膜、絕緣膜的CVD (Chemical Vapor Deposition化學氣相沉積)等的成膜工序，在形成 的導電膜、絕緣膜上形成希望圖案的光致抗蝕劑層的光刻工序，和將 光致抗蝕劑層作為掩模利用由處理氣體生成的等離子體將導電膜形成 為...
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