技術(shù)編號：6891111
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種制作半導(dǎo)體裝置的方法，特別涉及一種在化學(xué)鍍(即化 學(xué)沉積法)及切割鍍層晶圓為獨立晶片過程中保護晶圓后表面的方法。背景技術(shù)化學(xué)鍍鎳和化學(xué)沉積法摻雜金方法被廣泛應(yīng)用于在晶圓前表面的鋁合金 襯墊上沉積鎳/金涂層，而不需要掩蓋物或電鍍電流。這是一個需要付出成本 的有效途徑，為銅電線焊接提供一個堅硬的外層，為回形焊接和芯片封裝提 供一個潮濕的焊接面和擴散屏障。在化學(xué)鍍鎳過程中，晶圓的后表面需要覆蓋一個絕緣層以避免鎳電鍍， 通常在該區(qū)域的附著力較低。多余...
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