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技術(shù)編號(hào)：6889221

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本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體組件的制造方法，且特別是有關(guān)于一種包含溝槽式電容器(deep trench capacitor)和部分垂直晶體管的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dynamic random access memory；DRAM)的制造方法。背景技術(shù) 在集成電路(integrated circuit，IC)芯片上制作高積集度的半導(dǎo)體組件時(shí)，必須考慮如何縮小每一個(gè)存儲(chǔ)單元(memory cell)的大小與電力消耗，以使其操作速度加快。在傳統(tǒng)的平面晶體管設(shè)計(jì)中，為...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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