技術(shù)編號：6887304
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種SOI晶片的評價方法，特別是涉及一種SOI晶片的評價 方法，其是針對具有埋入擴散層的SOI晶片，用以評價埋入擴散層的特性。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體基板，有硅基板，其被廣泛地使用于例如集成電路的制造中， 近年來，隨著系統(tǒng)的高速化、高集成化或可攜帶式端末設(shè)備的發(fā)展，半導(dǎo)體 元件被要求更高速且低耗電力?；诖朔N背景，在絕緣層上形成有硅有源層(SOI層)的SOI(絕緣層上覆 硅；Silicon On Insulator)結(jié)構(gòu)的SOI晶片，是順應(yīng)元件的高速化...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。