技術編號：6877846
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及一種低電壓垂直型場效應晶體管。背聚技術"MOSFET，，是英文"meta卜oxide-semiconductor field effect transistor"的縮寫，意即"金屬氧化物半導體場效應晶體管"，其原理是 所有現(xiàn)代集成電路芯片的基礎。 一個MOSFET器件由三個基本部分構成源 極(S)、柵極(G)和漏極(D)。如果在柵極加載一個電壓，當該電壓大 于MOSFET的開啟電壓VTH時，源極到漏極之間就形成了一個電流的通路； 如果在柵極上...
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