技術(shù)編號(hào)：6876161
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及齊納二極管，特別涉及介由柵極氧化膜在齊納結(jié)上設(shè)置有柵電極的齊納二極管。背景技術(shù) 圖5是整體以500表示的現(xiàn)有的齊納二極管的剖面結(jié)構(gòu)(例如，參照專利文獻(xiàn)1)。齊納二極管500包含n型的硅襯底51。在硅襯底51上設(shè)置p型阱區(qū)52。在p型阱區(qū)52上設(shè)置深注入的p+陽(yáng)極區(qū)53和n+陰極區(qū)54，該n+陰極區(qū)54以與p+陽(yáng)極區(qū)53重疊，與p+陽(yáng)極區(qū)53相比注入深度較淺(各區(qū)域的濃度和深度的關(guān)系在圖5的右面示出)。此外，在硅襯底51的表面形成表面氧化膜55，并...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。