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本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件中的LDMOS版圖結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種有效收集襯底電流的LDMOS版圖結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)在顯示驅(qū)動(dòng)和電源管理的產(chǎn)品中，我們需要提供能夠耐高壓和通過大電流等特性的高壓器件。在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求，常用于射頻功率電路。與晶體管相比，在關(guān)鍵的器件特性方面，如增益、線性度、開關(guān)性能、散熱性能以及減少級(jí)數(shù)等方面優(yōu)勢很明顯。LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件)由于更容易和CMOS工藝的兼...
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