技術(shù)編號：6873957
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體，特別是在III-V族襯底上制備共振隧穿二極管與晶體管單片集成電路工藝方面。背景技術(shù) 自上世紀六十年代硅大規(guī)模集成電路實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化大生產(chǎn)以來，一直遵循摩爾定律，通過特征尺寸的縮小改善電路性能，實現(xiàn)更高的集成度，更快的速度以及更低的功耗。正由于此，上世紀末，Intel公司將集成度和性能都達到空前高水平的奔騰處理器芯片和個人計算機送到用戶手中。目前MOSFET特征尺寸已達到45nm，而后隨著特征尺寸向納米尺度靠近，量子效應逐漸顯現(xiàn)并占據(jù)主導地位，...
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