技術(shù)編號(hào)：6872322
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。相關(guān)申請(qǐng)的交叉參考本申請(qǐng)基于并要求2005年2月4日提交的在先日本專利申請(qǐng)No.2005-28963的優(yōu)先權(quán)，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。背景技術(shù)1.發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種MOS型半導(dǎo)體器件，其中MOSFET形成在以類似薄壁的形式設(shè)置在絕緣膜上的半導(dǎo)體層上。更具體地，本發(fā)明涉及薄板型雙柵結(jié)構(gòu)的場(chǎng)效應(yīng)型晶體管(以下縮寫為Fin-MOSFET)，以及制造該晶體管的方法。2.相關(guān)技術(shù)描述近年來，F(xiàn)in-MOSFETs已經(jīng)成為關(guān)注的焦點(diǎn)，在Fin-MOSFET中，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。