技術(shù)編號：6869920
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本公開涉及摻有Sb、Ga或Bi的半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法。背景技術(shù) 開發(fā)半導(dǎo)體存儲器件的重點集中在越來越大的信息存儲容量以及記錄和擦除信息的速度。這樣的半導(dǎo)體存儲器件包括以電路方式彼此連接的大量單位存儲單元。諸如動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的半導(dǎo)體存儲器件的每個單位單元都包括晶體管和電容器。DRAM是一種易失性存儲器件，能夠快速處理訪問但是對于所存儲的信號具有的保留時間不長。易失性存儲器件的代表性例子為閃速存儲器。已經(jīng)開發(fā)出了很多種其他類型的易失性存儲...
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