技術(shù)編號:6869168
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的制造方法,且特別是有關(guān)于一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(Metal Oxide Semiconductor Transistor,簡稱MOS Transistor)的制造方法。但是當(dāng)元件往小型化發(fā)展時,常會因為信道縮短而使得源/漏極的損耗層(Depletion Layer)與信道產(chǎn)生重疊;而且信道長度愈短,其與源/漏極的損耗層產(chǎn)生重疊的比例就愈高,如此將縮短信道的實質(zhì)長度,稱為“短信道效應(yīng)”(Short Channel Effec...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。