技術(shù)編號:6868990
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明大體而言涉及半導(dǎo)體器件和經(jīng)改良的漏極延伸型PMOS晶體管以及其制 作方法。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品通常使用N或P溝道漏極延伸型金屬氧化物半導(dǎo)體(DEMOS) 晶體管器件制作,以用于大功率切換應(yīng)用。DEMOS器件有利地將短溝道工作與大電 流處理功能、相對低的漏極-源極導(dǎo)通電阻(Rdson)、以及能夠耐受高閉鎖電壓而不會 遭受電壓擊穿故障的能力(高擊穿電壓額定值)相結(jié)合。通常將擊穿電壓測量作為當(dāng) 柵極和源極短接在一起時的漏極-源極擊穿電壓(BVdss),其...
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