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技術(shù)編號：6867554

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本發(fā)明涉及，例如涉及在半導(dǎo)體集成電路裝置(下面稱為IC)的制造方法中，用于在植入IC的半導(dǎo)體晶片(下面稱為晶片)上形成氧化膜或金屬膜等的CVD膜的成膜工序中使用的、有效的。背景技術(shù) 在將氮化硅(Si3N4)或氧化硅(SiOx)以及多晶硅等堆積(沉積)在晶片上的IC的制造方法的成膜工序中，廣泛使用間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置。該間歇式立式熱壁型減壓CVD裝置具有形成收容晶片并通過熱CVD反應(yīng)進行成膜的處理室的處理管；將多片晶片保持在整齊排列的狀態(tài)下，并運入...
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