技術(shù)編號(hào)：6866577
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。用于在半導(dǎo)體層內(nèi)制造具有降低了的電導(dǎo)率 的區(qū)域的方法以及光電子半導(dǎo)體器件本專(zhuān)利申請(qǐng)要求德國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)102004026231.4-33的優(yōu)先權(quán)，其 公開(kāi)內(nèi)容在此被引入作為參考。本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的用于制造導(dǎo) 電的III-V半導(dǎo)體層的方法和根據(jù)權(quán)利要求16或者17的前序部分所述的光電子半導(dǎo)體器件。在光電子半導(dǎo)體器件、尤其是發(fā)光二極管或者半導(dǎo)體激光裝置的 情況下往往希望引導(dǎo)通過(guò)半導(dǎo)體本體的電流有針對(duì)性地流經(jīng)半導(dǎo)體 層的各個(gè)部分區(qū)域，以便提...
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