技術編號：6866144
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種制造可用于制造發(fā)光器件例如發(fā)光二極管和激光二極管的半導體晶片的方法。背景技術 眾所周知pn結發(fā)光二極管(LED)是化合物半導體發(fā)光器件的一種類型。這種公知的LED的實例包括GaP LED，其具有襯底和磷化鎵(GaP)發(fā)光層，該磷化鎵發(fā)光層在襯底頂部上通過外延生長導電的GaP單晶而獲得；發(fā)射紅色光或橙黃至綠色光的LED，該LED具有由砷化鋁鎵混合晶體(AlXGaYAs0≤X，Y≤1，并且X+Y＝1)形成的，或由磷化鋁鎵銦混合晶體(AlXGaYI...
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