技術(shù)編號(hào):6865825
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及以MOSFET、TGBT等為代表的絕緣柵型半導(dǎo)體器件,具體而言,涉及為提高反向偏置特性所作的改進(jìn)。近年來(lái),用于逆變器控制之類(lèi)的開(kāi)關(guān)器件以MOSFET或IGBT引人注目。圖8為典型的MOSFET的平面圖。這種MOSFET是所謂縱向型MOSFET,在半導(dǎo)體襯底1的上主面上設(shè)置柵引線(xiàn)鍵合焊區(qū)2和源引線(xiàn)鍵合焊區(qū)3。有大量的單元沿半導(dǎo)體襯底1的主面排列,每一單元具有單個(gè)MOSFET的功能。這些單元所排列的區(qū)域40稱(chēng)為單元區(qū),它的一部分區(qū)域B代表單元區(qū)40。...
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