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技術(shù)編號：6856606

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本發(fā)明是關(guān)于一種半導(dǎo)體集成電路，特別是關(guān)于一種在形成雙極與CMOS兼容(以下稱BiCMOS)制造過程的組件時，同時形成電容器的制造方法及其裝置。近年來，在半導(dǎo)體集成電路的設(shè)計上，電容器的設(shè)置日趨重要，且已成為無可替代的電路組件。舉例而言，目前各種電容器結(jié)構(gòu)已被大量應(yīng)用在內(nèi)存(memory)和特殊應(yīng)用集成電路(applicationspecific integrated circuit，ASICs)方面，如用于動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)的疊層式電容，或者用...
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