技術(shù)編號(hào)：6855641
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體襯底的方法，特別涉及制造具有抬高的源和漏區(qū)的晶體管。集成電路制造技術(shù)一直力求增大電路密度，并因此減小場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺寸和溝道長(zhǎng)度。技術(shù)上的改進(jìn)引起了場(chǎng)效應(yīng)晶體管尺寸的減小，器件從長(zhǎng)溝道器件(即，一般大于2微米的溝道長(zhǎng)度)變?yōu)槎虦系榔骷?即，一般小于2微米的溝道長(zhǎng)度)。由于場(chǎng)效應(yīng)晶體管溝道長(zhǎng)度(即，柵寬)變得小于約3微米，所謂的短溝道效應(yīng)開(kāi)始變得越來(lái)越嚴(yán)重。結(jié)果，考慮到這些效應(yīng)，不得不改進(jìn)器件設(shè)計(jì)和相應(yīng)的工藝技術(shù)，以便不斷得到優(yōu)化的器...
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