技術(shù)編號：6854764
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及非易失性存儲器件，本發(fā)明更特別地涉及用于非易失性存儲器件的晶體管及其制造方法。背景技術(shù) 隨著非易失性存儲器件的集成度的提高，通過相應減小存儲單元的電流和耦合比，難以制造更高集成度的非易失性存儲器件，但是在現(xiàn)有存儲單元內(nèi)這是可以的。在多個存儲單元串聯(lián)在一起的NAND型非易失性存儲器件中，減小存儲單元的電流尤其困難。如圖1所示，NAND型非易失性存儲器件包括選擇晶體管和多個串聯(lián)的存儲單元。存儲單元的柵極連接到字線WL。選擇晶體管的柵極連接到地選擇線G...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。