技術(shù)編號(hào)：6854761
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法以及半導(dǎo)體器件和電子裝置。背景技術(shù) 近年來(lái)，設(shè)于絕緣襯底上的薄膜集成電路的轉(zhuǎn)移技術(shù)發(fā)展已經(jīng)有了進(jìn)展。對(duì)于該技術(shù)，存在例如這樣的一種技術(shù)在薄膜集成電路和襯底之間設(shè)有剝離層，使用含有鹵素的氣體除去該剝離層，由此從支撐襯底上分離薄膜集成電路并隨后進(jìn)行轉(zhuǎn)移(見(jiàn)參考1日本專(zhuān)利待審查號(hào)H8-254686)。此外，通過(guò)無(wú)線電發(fā)射和接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件已經(jīng)得到積極地發(fā)展。發(fā)射和接收數(shù)據(jù)的半導(dǎo)體器件是指無(wú)線芯片、集成電路芯片、射頻標(biāo)簽、無(wú)線電標(biāo)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。