技術(shù)編號：6854698
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種利用磁阻效應(yīng)能存儲信息的磁存儲裝置。背景技術(shù) 近年來，作為能高速動作的非易失性的存儲裝置，利用磁阻效應(yīng)能存儲信息的被稱為磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAMMagnetic Random AccessMemory)的磁存儲裝置廣為人知。在這樣的磁存儲裝置中，為了提高動作速度和降低寫入電流等，要求有效的進(jìn)行對磁阻效應(yīng)元件的寫入，例如，提出了具有使在配線周圍產(chǎn)生的磁場的磁通量集中于磁阻效應(yīng)元件的大致環(huán)狀的磁軛的磁存儲裝置的方案(參照J(rèn)P特開2000-90...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。