技術(shù)編號：6853023
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體，特別是指化合物半導(dǎo)體銦砷/鎵砷(InAs/GaAs)量子點(diǎn)材料的分子束外延(MBE)生長方法。背景技術(shù) 在光通訊技術(shù)中，波長為1.3微米(μm)的光在光纜中傳播時(shí)損耗最小。因此，1.3μm半導(dǎo)體激光器在光通訊技術(shù)中具有關(guān)鍵性的作用?，F(xiàn)在制作1.3μm激光器的半導(dǎo)體材料主要是銦鎵砷磷/銦磷(InGaAsP/InP)量子阱。上個(gè)世紀(jì)九十年代以后，由于量子點(diǎn)材料的基本性質(zhì)在理論上的優(yōu)越性，人們深入地研究和開發(fā)化合物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)量子點(diǎn)材料，特別是...
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