技術編號：6853022
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明屬于半導體集成電路及其制造，尤其涉及一種源漏位于絕緣層上的MOSFET晶體管的制作方法。背景技術集成電路尤其是超大規(guī)模集成電路中的主要器件是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(metal oxide semiconductor field effect transistor，簡稱MOSFET)。器件尺寸的不斷縮小可以提高MOSFET器件的性能，同時可以極大地提高單個芯片的集成密度。并且隨著芯片尺寸的不斷擴大，電路功能也不斷地增多?，F(xiàn)在，MOSFET的幾...
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