技術(shù)編號：6851136
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種金屬硅化物的形成方法，特別是涉及一種自行對準金屬硅化物(self-aligned-silicide；salicide)的制造方法。背景技術(shù) 在半導體技術(shù)中，金氧化半導體(metal-oxide-semiconductor；MOS)晶體管由柵極(gate)、源極(source)與漏極(drain)等三個電極所構(gòu)成。早期的MOS由金屬層、二氧化硅層與硅基底等三層材料所組成的。但是，由于大多數(shù)的金屬對于二氧化硅的附著能力很差，所以對于二氧化硅具有較...
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